Анотація:
Розглянуто процес формування омічних контактів до перспективних напівпровідникових
сполук А3N: GaN, AlN, InN. Досліджено структурні й електрофізичні параметри контактних
структур Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN та Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Виявлено і
досліджено механізм струмопереносу по провідних дислокаціях з дифузійним обмеженням носіїв
струму
Анотація (англ.):
We research forming process of ohmic contacts to the perspective semiconductor compounds А3N: GaN, AlN, InN. We research structure and electrical properties of contact structures Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN and Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Current flow mechanism through conductive dislocations with diffusion charge limitation was discovered and researched in these contact structures.
