ФОРМУВАННЯ ОМІЧНИХ КОНТАКТІВ ДО НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК A3N

Шеремет, В.М.; Сай, П.О.; Sheremet, V.N.; Saj, P.O.

dc.contributor.author	Шеремет, В.М.
dc.contributor.author	Сай, П.О.
dc.contributor.author	Sheremet, V.N.
dc.contributor.author	Saj, P.O.
dc.date.accessioned	2016-03-31T11:05:35Z
dc.date.available	2016-03-31T11:05:35Z
dc.date.issued	2014
dc.identifier.uri	http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/2455
dc.description.abstract	Розглянуто процес формування омічних контактів до перспективних напівпровідникових сполук А3N: GaN, AlN, InN. Досліджено структурні й електрофізичні параметри контактних структур Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN та Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Виявлено і досліджено механізм струмопереносу по провідних дислокаціях з дифузійним обмеженням носіїв струму	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	ЖДТУ	uk_UA
dc.relation.ispartofseries	Вісник ЖДТУ: Серія: Технічні науки;1(68)
dc.subject	тринітриди	uk_UA
dc.subject	GaN	uk_UA
dc.subject	AlN	uk_UA
dc.subject	InN	uk_UA
dc.subject	омічний контакт	uk_UA
dc.subject	механізм струмопереносу	uk_UA
dc.subject	III-nitrides	uk_UA
dc.subject	GaN	uk_UA
dc.subject	AlN	uk_UA
dc.subject	InN	uk_UA
dc.subject	ohmic contact	uk_UA
dc.subject	current flow mechanism	uk_UA
dc.title	ФОРМУВАННЯ ОМІЧНИХ КОНТАКТІВ ДО НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК A3N	uk_UA
dc.title.alternative	Forming of ohmic contacts to the A3N semiconductor compounds	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.description.abstracten	We research forming process of ohmic contacts to the perspective semiconductor compounds А3N: GaN, AlN, InN. We research structure and electrical properties of contact structures Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN and Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Current flow mechanism through conductive dislocations with diffusion charge limitation was discovered and researched in these contact structures.	uk_UA