dc.contributor.author |
Шеремет, В.М. |
|
dc.contributor.author |
Сай, П.О. |
|
dc.contributor.author |
Sheremet, V.N. |
|
dc.contributor.author |
Saj, P.O. |
|
dc.date.accessioned |
2016-03-31T11:05:35Z |
|
dc.date.available |
2016-03-31T11:05:35Z |
|
dc.date.issued |
2014 |
|
dc.identifier.uri |
http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/2455 |
|
dc.description.abstract |
Розглянуто процес формування омічних контактів до перспективних напівпровідникових
сполук А3N: GaN, AlN, InN. Досліджено структурні й електрофізичні параметри контактних
структур Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN та Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Виявлено і
досліджено механізм струмопереносу по провідних дислокаціях з дифузійним обмеженням носіїв
струму |
uk_UA |
dc.language.iso |
uk |
uk_UA |
dc.publisher |
ЖДТУ |
uk_UA |
dc.relation.ispartofseries |
Вісник ЖДТУ: Серія: Технічні науки;1(68) |
|
dc.subject |
тринітриди |
uk_UA |
dc.subject |
GaN |
uk_UA |
dc.subject |
AlN |
uk_UA |
dc.subject |
InN |
uk_UA |
dc.subject |
омічний контакт |
uk_UA |
dc.subject |
механізм струмопереносу |
uk_UA |
dc.subject |
III-nitrides |
uk_UA |
dc.subject |
GaN |
uk_UA |
dc.subject |
AlN |
uk_UA |
dc.subject |
InN |
uk_UA |
dc.subject |
ohmic contact |
uk_UA |
dc.subject |
current flow mechanism |
uk_UA |
dc.title |
ФОРМУВАННЯ ОМІЧНИХ КОНТАКТІВ ДО НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК A3N |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Forming of ohmic contacts to the A3N semiconductor compounds |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.description.abstracten |
We research forming process of ohmic contacts to the perspective semiconductor compounds А3N: GaN, AlN, InN. We research structure and electrical properties of contact structures Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN and Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Current flow mechanism through conductive dislocations with diffusion charge limitation was discovered and researched in these contact structures. |
uk_UA |