Анотація:
Систематизовано конструкції лавинно-пролітних діодів надвисокочастотного діапазону
хвиль за типом модифікації пролітної області. Показані результати як отриманих вихідних
параметрів напівпровідникових приладів на основі Si, SiC, GaAs, так і теоретично можливі,
включно з діодами на основі InP. Отримані значення вказують на перевагу кремнієвої технології
конструювання лавинно-пролітних діодів як таку, що станом на сьогодні є найбільш вивчена та
запроваджена у виробництві. Такі результати порівнюються з іншими вихідними значеннями
напівпровідникових приладів, зокрема з діодами на основі матеріалів групи А3В5. Дослідження
проводиться шляхом вимірювання прямої та зворотної гілок вольт-амперної характеристики
(ВАХ). Визначені механізми струмопротікання через p-n-перехід кремнієвого лавинно-пролітного
діоду на прямій ВАХ.
Анотація (англ.):
Systematized design IMPATT diode microwave wavelength range by type modifications span region. Show results as obtained output parameters of semiconductor devices based on Si, SiC, GaAs and theoretically possible including diodes based on InP. These values indicate a preference to silicon technology design IMPATT diodes as such, which as of today is the most studied and implemented in production. These results are compared with other output value of semiconductor devices, including diodes on the basis of group A3B5. Study is done by measuring the direct and reverse branches of the current-voltage characteristics. The mechanism of current through pn-junction silicon IMPATT diode for direct current-voltage characteristics.
