РЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕНЬ ЕЛЕКТРОФІЗИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНІЄВИХ ЛАВИННО-ПРОЛІТНИХ ДІОДІВ

Сліпокуров, В.С.; Slipokurov, V.S.

dc.contributor.author	Сліпокуров, В.С.
dc.contributor.author	Slipokurov, V.S.
dc.date.accessioned	2016-03-31T10:55:04Z
dc.date.available	2016-03-31T10:55:04Z
dc.date.issued	2014
dc.identifier.uri	http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/2452
dc.description.abstract	Систематизовано конструкції лавинно-пролітних діодів надвисокочастотного діапазону хвиль за типом модифікації пролітної області. Показані результати як отриманих вихідних параметрів напівпровідникових приладів на основі Si, SiC, GaAs, так і теоретично можливі, включно з діодами на основі InP. Отримані значення вказують на перевагу кремнієвої технології конструювання лавинно-пролітних діодів як таку, що станом на сьогодні є найбільш вивчена та запроваджена у виробництві. Такі результати порівнюються з іншими вихідними значеннями напівпровідникових приладів, зокрема з діодами на основі матеріалів групи А3В5. Дослідження проводиться шляхом вимірювання прямої та зворотної гілок вольт-амперної характеристики (ВАХ). Визначені механізми струмопротікання через p-n-перехід кремнієвого лавинно-пролітного діоду на прямій ВАХ.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	ЖДТУ	uk_UA
dc.relation.ispartofseries	Вісник ЖДТУ: Серія: Технічні науки;1(68)
dc.subject	лавинно-пролітний діод	uk_UA
dc.subject	вольт-амперна характеристика	uk_UA
dc.subject	Si	uk_UA
dc.subject	SiC	uk_UA
dc.subject	GaAs	uk_UA
dc.subject	InP	uk_UA
dc.subject	терагерцовий діапазон	uk_UA
dc.subject	дифузія	uk_UA
dc.subject	генерація	uk_UA
dc.subject	IMPATT diode current-voltage characteristics	uk_UA
dc.subject	Si	uk_UA
dc.subject	SiC	uk_UA
dc.subject	GaAs	uk_UA
dc.subject	InP	uk_UA
dc.subject	terahertz range	uk_UA
dc.subject	diffusion	uk_UA
dc.subject	generation	uk_UA
dc.title	РЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕНЬ ЕЛЕКТРОФІЗИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНІЄВИХ ЛАВИННО-ПРОЛІТНИХ ДІОДІВ	uk_UA
dc.title.alternative	Research electrophysical characteristics of silicon impatt diodes	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.description.abstracten	Systematized design IMPATT diode microwave wavelength range by type modifications span region. Show results as obtained output parameters of semiconductor devices based on Si, SiC, GaAs and theoretically possible including diodes based on InP. These values indicate a preference to silicon technology design IMPATT diodes as such, which as of today is the most studied and implemented in production. These results are compared with other output value of semiconductor devices, including diodes on the basis of group A3B5. Study is done by measuring the direct and reverse branches of the current-voltage characteristics. The mechanism of current through pn-junction silicon IMPATT diode for direct current-voltage characteristics.	uk_UA