EZTUIR
Electronic Zhytomyr State Technological University Institutional Repository

Автомодуляційний режим кристалізації в технології низькотемпературного синтезу гетероструктур GахIn1-хР- GaAs

Show simple item record

dc.contributor.author Москвін, Павло Петрович
dc.contributor.author Скуратівський, Сергій Іванович
dc.contributor.author Moskvin, P.P.
dc.contributor.author Skurativskyi, S.I.
dc.date.accessioned 2019-01-30T09:34:15Z
dc.date.available 2019-01-30T09:34:15Z
dc.date.issued 2018
dc.identifier.uri http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7435
dc.description.abstract Рівняння Канна-Хілларда, що раніше отримане для опису процесу розпаду металевих твердих розчинів заміщення, адаптовано для опису процесу спінодального розпаду напівпровідникових твердих розчинів виду . Отримане диференціальне рівняння розпаду матеріалу застосовується для опису ефекту автомодуляціі складу, який спостерігається при синтезі гетероструктур GахIn1-хР – GaAs. Зазначені гетерокомпозіції використовуються в якості активних середовищ сучасних оптоелектронних приладів. Виконано чисельне моделювання процесу спінодального розпаду твердого розчину GахIn1-хР . Знайдено інтервали термодинамічних параметрів технологічного процесу синтезу структур, в яких ефект автомодуляціі складу повинен проявлятися найвиразніше. Результати кількісного аналізу зіставляються з експериментальними даними. uk_UA
dc.language.iso uk uk_UA
dc.publisher ЖДТУ uk_UA
dc.relation.ispartofseries Вісник ЖДТУ.Серія: Технічні науки;2(82)
dc.subject гетероструктури на основі напівпровідників класу А3В5 uk_UA
dc.subject спінодальний розпад uk_UA
dc.subject модель розпаду Канна-Хілларда uk_UA
dc.subject автомодуляція складу твердого розчину uk_UA
dc.subject heterostructures based on semiconductors of the class А3В5 uk_UA
dc.subject spinodal decay uk_UA
dc.subject model of the decay of the Cannes-Hillard uk_UA
dc.subject automodulation of a solid solution uk_UA
dc.title Автомодуляційний режим кристалізації в технології низькотемпературного синтезу гетероструктур GахIn1-хР- GaAs uk_UA
dc.title.alternative The automodulating mode of crystallization in the technology of low-temperature synthesis of GахIn1-хР- GaAs heterostructures uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.description.abstracten The Cahn-Hillard equation, previously obtained for describing the process of decomposition of metallic substitution solid solutions, is adapted to describe the process of spinodal decomposition of semiconductor solid solutions of the form . The obtained differential equation for the decomposition of material is used to describe the effect of composition modulation, which is observed during the synthesis of GахIn1-хР-GaAs heterostructures. These heterocompositions are used as active media of modern optoelectronic devices. Numerical simulations of the process of spinodal decomposition of the material has been performed. It is found the intervals for thermodynamic parameters of the technological process of structure synthesis, in which the effect of composition modulation should appear most clearly. The results of quantitative analysis are compared with experimental data. uk_UA


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace


Browse

My Account