Abstract (ukr):
Рівняння Канна-Хілларда, що раніше отримане для опису процесу розпаду металевих твердих розчинів заміщення, адаптовано для опису процесу спінодального розпаду напівпровідникових твердих розчинів виду . Отримане диференціальне рівняння розпаду матеріалу застосовується для опису ефекту автомодуляціі складу, який спостерігається при синтезі гетероструктур GахIn1-хР – GaAs. Зазначені гетерокомпозіції використовуються в якості активних середовищ сучасних оптоелектронних приладів.
Виконано чисельне моделювання процесу спінодального розпаду твердого розчину GахIn1-хР . Знайдено інтервали термодинамічних параметрів технологічного процесу синтезу структур, в яких ефект автомодуляціі складу повинен проявлятися найвиразніше. Результати кількісного аналізу зіставляються з експериментальними даними.
Abstract (eng):
The Cahn-Hillard equation, previously obtained for describing the process of decomposition of metallic substitution solid solutions, is adapted to describe the process of spinodal decomposition of semiconductor solid solutions of the form . The obtained differential equation for the decomposition of material is used to describe the effect of composition modulation, which is observed during the synthesis of GахIn1-хР-GaAs heterostructures. These heterocompositions are used as active media of modern optoelectronic devices.
Numerical simulations of the process of spinodal decomposition of the material has been performed. It is found the intervals for thermodynamic parameters of the technological process of structure synthesis, in which the effect of composition modulation should appear most clearly. The results of quantitative analysis are compared with experimental data.
