Показати скорочений опис матеріалу
dc.contributor.author | Шеремет, В.М. | |
dc.contributor.author | Сай, П.О. | |
dc.contributor.author | Sheremet, V.N. | |
dc.contributor.author | Saj, P.O. | |
dc.date.accessioned | 2016-03-31T11:05:35Z | |
dc.date.available | 2016-03-31T11:05:35Z | |
dc.date.issued | 2014 | |
dc.identifier.uri | http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/2455 | |
dc.description.abstract | Розглянуто процес формування омічних контактів до перспективних напівпровідникових сполук А3N: GaN, AlN, InN. Досліджено структурні й електрофізичні параметри контактних структур Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN та Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Виявлено і досліджено механізм струмопереносу по провідних дислокаціях з дифузійним обмеженням носіїв струму | uk_UA |
dc.language.iso | uk | uk_UA |
dc.publisher | ЖДТУ | uk_UA |
dc.relation.ispartofseries | Вісник ЖДТУ: Серія: Технічні науки;1(68) | |
dc.subject | тринітриди | uk_UA |
dc.subject | GaN | uk_UA |
dc.subject | AlN | uk_UA |
dc.subject | InN | uk_UA |
dc.subject | омічний контакт | uk_UA |
dc.subject | механізм струмопереносу | uk_UA |
dc.subject | III-nitrides | uk_UA |
dc.subject | GaN | uk_UA |
dc.subject | AlN | uk_UA |
dc.subject | InN | uk_UA |
dc.subject | ohmic contact | uk_UA |
dc.subject | current flow mechanism | uk_UA |
dc.title | ФОРМУВАННЯ ОМІЧНИХ КОНТАКТІВ ДО НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК A3N | uk_UA |
dc.title.alternative | Forming of ohmic contacts to the A3N semiconductor compounds | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
dc.description.abstracten | We research forming process of ohmic contacts to the perspective semiconductor compounds А3N: GaN, AlN, InN. We research structure and electrical properties of contact structures Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN and Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Current flow mechanism through conductive dislocations with diffusion charge limitation was discovered and researched in these contact structures. | uk_UA |