Abstract (ukr):
Описаний ефективний метод отримання надтонких шарів – вакуумне анодне випаровування.
Промислову установку для вакуумного напилення УРМ 3.279.014 адаптовано для синтезу
надтонких шарів напівпровідникових твердих розчинів системи ZnCdTe. Досліджено умови
функціонування випаровувача, який формує потоки речовини до зони синтезу. Розглянуто
випадки, коли електрони діють безпосередньо на його робочу поверхню і є джерелом основного
матеріалу, та випадок, коли емітовані електрони розігрівають стінки випаровувача
(випаровувач працює як комірка Кнудсена). Також отримані дані за параметрами
функціонування випаровувачів у цих умовах. Досліджені потоки пари в напрямі підкладки.
Кількісна характеристика поверхні шарів здійснювалася з використанням методів
мультифрактального аналізу. В роботі доводиться, що використання квазірівноважних умов
випаровування призводить до стабілізації товщини шарів, які синтезуються, та надаються
рекомендації щодо використання досліджених умов роботи випаровувачів.
