Показати скорочений опис матеріалу
dc.contributor.author | Новицький, С.В. | |
dc.contributor.author | Novitskii, S.V. | |
dc.date.accessioned | 2016-03-21T12:12:28Z | |
dc.date.available | 2016-03-21T12:12:28Z | |
dc.date.issued | 2014 | |
dc.identifier.uri | http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/2132 | |
dc.description.abstract | Досліджуються фізичні процеси, що відбуваються під дією зовнішніх впливів у багатошарових омічних контактах до n-InP з дифузійним бар'єром TiBx. Як зовнішні впливи використовувалися мікрохвильова обробка, швидка термічна обробка (ШТО) та γ-опромінення 60Со. Встановлено, що омічні контакти Au-TiBx-Ge-Au-n-n+-n++-InP, що сформовані магнетронним напиленням з наступною ШТО при температурі 450 °С, зберігають свою структуру і величину питомого контактного опору при робочих температурах діода Ганна. Вперше була отримана зростаюча температурна залежність питомого контактного опору омічного контакту Au-Ge-TiBx-Au до nn+- n++-InP в діапазоні температур 80–380 К, яка була пояснена струмопроходженням по металевих шунтах, що проросли крізь дислокації і замикають ОПЗ, з урахуванням обмеження протікаючого струму дифузійним підведенням електронів. | uk_UA |
dc.language.iso | uk | uk_UA |
dc.publisher | ЖДТУ | uk_UA |
dc.relation.ispartofseries | Вісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки;4(71) | |
dc.subject | омічний контакт | uk_UA |
dc.subject | діод Ганна | uk_UA |
dc.title | КАТОДНІ КОНТАКТИ З ДИФУЗІЙНИМИ БАР’ЄРАМИ TiBx ДЛЯ ДІОДІВ ГАННА НА ОСНОВІ InP | uk_UA |
dc.title.alternative | Cathode contact with diffusion barriers TiBx for Gunn diodes based on InP | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |