Анотація:
Досліджуються фізичні процеси, що відбуваються під дією зовнішніх впливів у багатошарових
омічних контактах до n-InP з дифузійним бар'єром TiBx. Як зовнішні впливи використовувалися
мікрохвильова обробка, швидка термічна обробка (ШТО) та γ-опромінення 60Со. Встановлено, що
омічні контакти Au-TiBx-Ge-Au-n-n+-n++-InP, що сформовані магнетронним напиленням з
наступною ШТО при температурі 450 °С, зберігають свою структуру і величину питомого
контактного опору при робочих температурах діода Ганна. Вперше була отримана зростаюча
температурна залежність питомого контактного опору омічного контакту Au-Ge-TiBx-Au до nn+-
n++-InP в діапазоні температур 80–380 К, яка була пояснена струмопроходженням по
металевих шунтах, що проросли крізь дислокації і замикають ОПЗ, з урахуванням обмеження
протікаючого струму дифузійним підведенням електронів.
