dc.contributor.author |
Москвін, Павло Петрович |
|
dc.contributor.author |
Рудніцький, Валентин Анатолійович |
|
dc.contributor.author |
Moskvin, P.P. |
|
dc.contributor.author |
Rudnitskyi, V.A. |
|
dc.date.accessioned |
2019-11-04T14:02:13Z |
|
dc.date.available |
2019-11-04T14:02:13Z |
|
dc.date.issued |
2019 |
|
dc.identifier.uri |
http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7595 |
|
dc.description.abstract |
Розроблено конструкцію та модернізовано основні вузли обладнання для детонаційного напилення, що дозволяє проводити синтез напівпровідникових надтонких плівок. Модернізація установки проводилася з урахуванням особливостей термодинамічних властивостей напівпровідникових матеріалів. Наведено дані про основні елементи конструкцій адаптованих вузлів, вказано їх функціональне призначення. Особлива увага надається принципам роботи як самих модифікованих вузлів обладнання, так і їхньому функціональному взаємозв’язку при керуванні процесом синтезу шарів.
Знайдено умови функціонування вузлів формування та запалювання газової воднево-кисневої суміші для отримання високоенергетичної ударної хвилі, що забезпечувала процес масопереносу речовини від джерела до підкладки при синтезі надтонких шарів оксидних напівпровідників. Особлива увага надана забезпеченню оптимальних газодинамічних умов розповсюдження зони підвищеного тиску в процесі переносу речовини від джерела до ростової підкладки. Розроблено конструкції та виготовлено системи перепускних клапанів, що забезпечують задану швидкість переключення газових потоків у процесі синтезу оксидів. Методом детонаційного напилення синтезовано надтонкі шари систем PbO та ZnO.
Кристалографічні та морфологічні властивості поверхні плівок, що синтезовано методом детонаційного напилення, досліджено оптичними методами. Отримані фотографічні зображення проаналізовано методом мультифрактального аналізу. Доведено, що мультифрактальні параметри спектра площі поверхні наноформ, що формуються на поверхні росту шарів, за своєю величиною сумірні з відповідними параметрами для спектрів від поверхні шарів, які синтезовані вакуумними технологіями. |
uk_UA |
dc.language.iso |
uk |
uk_UA |
dc.publisher |
Державний університет "Житомирська політехніка" |
uk_UA |
dc.relation.ispartofseries |
Вісник ЖДТУ.Серія: Технічні науки;1(83) |
|
dc.subject |
синтез наноплівок напівпровідників A2B6 |
uk_UA |
dc.subject |
метод детонаційного напилення |
uk_UA |
dc.subject |
морфологія поверхні |
uk_UA |
dc.subject |
мультифрактальний аналіз |
uk_UA |
dc.subject |
synthesis of A2B6 semiconductors nanolayers |
uk_UA |
dc.subject |
detonation spray method |
uk_UA |
dc.subject |
surface morphology |
uk_UA |
dc.subject |
multifractal analysis |
uk_UA |
dc.title |
Метод детонаційного напилення: особливості технічної реалізації процесу та технологія отримання надтонких шарів напівпровідникових оксидів |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Detonation spray method: features of technical implementation of the process and technology for obtaining ultrathin layers of semiconductor oxides |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.description.abstracten |
The design has been developed and the main components of the equipment for detonation growth have been modernized, which allows conducting the synthesis of semiconductor ultrathin films. The equipment was modernized taking into account the features of the thermodynamic properties of semiconductor materials. The data on the main adapted elements of the equipment are given, their functional purpose is indicated. Special attention is paid to the principles of operation of both the modified units of equipment and their functional interrelations in managing the process of the synthesis of layers.
The conditions for the functioning and burning of gaseous hydrogen - oxygen mixture to obtain a high-energy shock wave, which provided the process of mass transfer of matter from source to substrate during the synthesis of ultrathin oxide semiconductor layers, are found. Particular attention is paid to ensuring optimal gas-dynamic conditions for the propagation of the zone of increased pressure in the process of transferring the substance from the source to the growth substrate. The design has been developed and systems of check valves have been manufactured that provide a given rate of switching gas flows during the synthesis of semiconductor oxides.
The detonation spray method was used to synthesize ultrathin layers of the PbO and ZnO systems.
The crystallographic and morphological properties of the surface of layers synthesized by detonation growth were investigated by optical methods. The obtained photographic images were analyzed by the method of multifractal analysis. It is proved that the multifractal parameters of the spectrum of the nanoform surface area formed on the growth surface of the layers are comparable in size with the corresponding parameters for the spectra from the surface of the layers synthesized by vacuum technologies. |
uk_UA |