Високоякісні епітаксійні плівки CdZnTe для напівпровідникової оптоелектроніки: синтез і властивості

Рашковецький, Любомир Васильович; Пляцко, Сергій Володимирович; Москвін, Павло Петрович; Добряков, Володимир Львович; Скиба, Галина Віталіївна; Rashkovetskyi, L.V.; Plyatsko, S.V.; Moskvin, P.P.; Dobryakov, V.L.; Skyba, G.V.

dc.contributor.author	Рашковецький, Любомир Васильович
dc.contributor.author	Пляцко, Сергій Володимирович
dc.contributor.author	Москвін, Павло Петрович
dc.contributor.author	Добряков, Володимир Львович
dc.contributor.author	Скиба, Галина Віталіївна
dc.contributor.author	Rashkovetskyi, L.V.
dc.contributor.author	Plyatsko, S.V.
dc.contributor.author	Moskvin, P.P.
dc.contributor.author	Dobryakov, V.L.
dc.contributor.author	Skyba, G.V.
dc.date.accessioned	2018-06-27T08:15:58Z
dc.date.available	2018-06-27T08:15:58Z
dc.date.issued	2018
dc.identifier.uri	http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7382
dc.description.abstract	Методом рідиннофазної епітаксії отримано високоякісні плівки CdZnTe різного складу. Синтез відбувався при наднизьких температурах (500–530ºС) з телурового розчину. Проаналізовано кінетику росту епітаксійних плівок. Досліджено властивості вирощених плівок методами оптичної мікроскопії, рентгенівської дифрактометрії, Оже-спектроскопії, низькотемпературної фотолюмінесценції. Надано залежність мікротвердості від складу отриманих плівок.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	ЖДТУ	uk_UA
dc.relation.ispartofseries	Вісник ЖДТУ.Серія: Технічні науки;1(81)
dc.subject	рідиннофазна епітаксія	uk_UA
dc.subject	напівпровідникові плівки CdZnTe	uk_UA
dc.subject	морфологія поверхні	uk_UA
dc.subject	напівширина кривої гойдання	uk_UA
dc.subject	низькотемпературна фотолюмінесценція	uk_UA
dc.subject	мікротвердість	uk_UA
dc.subject	liquid phase epitaxy	uk_UA
dc.subject	CdZnTe films	uk_UA
dc.subject	surface morphology	uk_UA
dc.subject	low temperature photoluminescence	uk_UA
dc.subject	microhardness	uk_UA
dc.title	Високоякісні епітаксійні плівки CdZnTe для напівпровідникової оптоелектроніки: синтез і властивості	uk_UA
dc.title.alternative	High quality CdZnTe epitaxial films: growth and properties	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.description.abstracten	High-quality CdZnTe films of different compositions were obtained by liquid phase epitaxy. Growth occurred at low temperatures (500–530º C) from the tellurium solution. The growth kinetic of epitaxial films is analyzed. The properties of grown films by the methods of optical microscopy, X-ray diffractometry, Auger spectroscopy, and low-temperature photoluminescence are studied. The dependence of the microhardness on the composition of the resulting films is presented for the first time.	uk_UA