РЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕНЬ ЕЛЕКТРОФІЗИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНІЄВИХ ЛАВИННО-ПРОЛІТНИХ ДІОДІВ

Abstract

Систематизовано конструкції лавинно-пролітних діодів надвисокочастотного діапазону хвиль за типом модифікації пролітної області. Показані результати як отриманих вихідних параметрів напівпровідникових приладів на основі Si, SiC, GaAs, так і теоретично можливі, включно з діодами на основі InP. Отримані значення вказують на перевагу кремнієвої технології конструювання лавинно-пролітних діодів як таку, що станом на сьогодні є найбільш вивчена та запроваджена у виробництві. Такі результати порівнюються з іншими вихідними значеннями напівпровідникових приладів, зокрема з діодами на основі матеріалів групи А3В5. Дослідження проводиться шляхом вимірювання прямої та зворотної гілок вольт-амперної характеристики (ВАХ). Визначені механізми струмопротікання через p-n-перехід кремнієвого лавинно-пролітного діоду на прямій ВАХ.