КАТОДНІ КОНТАКТИ З ДИФУЗІЙНИМИ БАР’ЄРАМИ TiBx ДЛЯ ДІОДІВ ГАННА НА ОСНОВІ InP

Abstract

Досліджуються фізичні процеси, що відбуваються під дією зовнішніх впливів у багатошарових омічних контактах до n-InP з дифузійним бар'єром TiBx. Як зовнішні впливи використовувалися мікрохвильова обробка, швидка термічна обробка (ШТО) та γ-опромінення 60Со. Встановлено, що омічні контакти Au-TiBx-Ge-Au-n-n+-n++-InP, що сформовані магнетронним напиленням з наступною ШТО при температурі 450 °С, зберігають свою структуру і величину питомого контактного опору при робочих температурах діода Ганна. Вперше була отримана зростаюча температурна залежність питомого контактного опору омічного контакту Au-Ge-TiBx-Au до nn+- n++-InP в діапазоні температур 80–380 К, яка була пояснена струмопроходженням по металевих шунтах, що проросли крізь дислокації і замикають ОПЗ, з урахуванням обмеження протікаючого струму дифузійним підведенням електронів.