Please use this identifier to cite or link to this item:
http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7435
Title: | Автомодуляційний режим кристалізації в технології низькотемпературного синтезу гетероструктур GахIn1-хР- GaAs |
Other Titles: | The automodulating mode of crystallization in the technology of low-temperature synthesis of GахIn1-хР- GaAs heterostructures |
Authors: | Москвін, Павло Петрович Скуратівський, Сергій Іванович Moskvin, P.P. Skurativskyi, S.I. |
Keywords: | гетероструктури на основі напівпровідників класу А3В5 спінодальний розпад модель розпаду Канна-Хілларда автомодуляція складу твердого розчину heterostructures based on semiconductors of the class А3В5 spinodal decay model of the decay of the Cannes-Hillard automodulation of a solid solution |
Issue Date: | 2018 |
Publisher: | ЖДТУ |
Series/Report no.: | Вісник ЖДТУ.Серія: Технічні науки;2(82) |
Abstract: | Рівняння Канна-Хілларда, що раніше отримане для опису процесу розпаду металевих твердих розчинів заміщення, адаптовано для опису процесу спінодального розпаду напівпровідникових твердих розчинів виду . Отримане диференціальне рівняння розпаду матеріалу застосовується для опису ефекту автомодуляціі складу, який спостерігається при синтезі гетероструктур GахIn1-хР – GaAs. Зазначені гетерокомпозіції використовуються в якості активних середовищ сучасних оптоелектронних приладів. Виконано чисельне моделювання процесу спінодального розпаду твердого розчину GахIn1-хР . Знайдено інтервали термодинамічних параметрів технологічного процесу синтезу структур, в яких ефект автомодуляціі складу повинен проявлятися найвиразніше. Результати кількісного аналізу зіставляються з експериментальними даними. |
URI: | http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7435 |
Appears in Collections: | Вісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.