Please use this identifier to cite or link to this item: http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7435
Title: Автомодуляційний режим кристалізації в технології низькотемпературного синтезу гетероструктур GахIn1-хР- GaAs
Other Titles: The automodulating mode of crystallization in the technology of low-temperature synthesis of GахIn1-хР- GaAs heterostructures
Authors: Москвін, Павло Петрович
Скуратівський, Сергій Іванович
Moskvin, P.P.
Skurativskyi, S.I.
Keywords: гетероструктури на основі напівпровідників класу А3В5
спінодальний розпад
модель розпаду Канна-Хілларда
автомодуляція складу твердого розчину
heterostructures based on semiconductors of the class А3В5
spinodal decay
model of the decay of the Cannes-Hillard
automodulation of a solid solution
Issue Date: 2018
Publisher: ЖДТУ
Series/Report no.: Вісник ЖДТУ.Серія: Технічні науки;2(82)
Abstract: Рівняння Канна-Хілларда, що раніше отримане для опису процесу розпаду металевих твердих розчинів заміщення, адаптовано для опису процесу спінодального розпаду напівпровідникових твердих розчинів виду . Отримане диференціальне рівняння розпаду матеріалу застосовується для опису ефекту автомодуляціі складу, який спостерігається при синтезі гетероструктур GахIn1-хР – GaAs. Зазначені гетерокомпозіції використовуються в якості активних середовищ сучасних оптоелектронних приладів. Виконано чисельне моделювання процесу спінодального розпаду твердого розчину GахIn1-хР . Знайдено інтервали термодинамічних параметрів технологічного процесу синтезу структур, в яких ефект автомодуляціі складу повинен проявлятися найвиразніше. Результати кількісного аналізу зіставляються з експериментальними даними.
URI: http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7435
Appears in Collections:Вісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
232.pdf697.58 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.