1. Електронний архів Державного університету «Житомирська політехніка»
  2. Фахові видання
  3. Вісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки
Please use this identifier to cite or link to this item: http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7435
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМосквін, Павло Петрович-
dc.contributor.authorСкуратівський, Сергій Іванович-
dc.contributor.authorMoskvin, P.P.-
dc.contributor.authorSkurativskyi, S.I.-
dc.date.accessioned2019-01-30T09:34:15Z-
dc.date.available2019-01-30T09:34:15Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.urihttp://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7435-
dc.description.abstractРівняння Канна-Хілларда, що раніше отримане для опису процесу розпаду металевих твердих розчинів заміщення, адаптовано для опису процесу спінодального розпаду напівпровідникових твердих розчинів виду . Отримане диференціальне рівняння розпаду матеріалу застосовується для опису ефекту автомодуляціі складу, який спостерігається при синтезі гетероструктур GахIn1-хР – GaAs. Зазначені гетерокомпозіції використовуються в якості активних середовищ сучасних оптоелектронних приладів. Виконано чисельне моделювання процесу спінодального розпаду твердого розчину GахIn1-хР . Знайдено інтервали термодинамічних параметрів технологічного процесу синтезу структур, в яких ефект автомодуляціі складу повинен проявлятися найвиразніше. Результати кількісного аналізу зіставляються з експериментальними даними.uk_UA
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherЖДТУuk_UA
dc.relation.ispartofseriesВісник ЖДТУ.Серія: Технічні науки;2(82)-
dc.subjectгетероструктури на основі напівпровідників класу А3В5uk_UA
dc.subjectспінодальний розпадuk_UA
dc.subjectмодель розпаду Канна-Хіллардаuk_UA
dc.subjectавтомодуляція складу твердого розчинуuk_UA
dc.subjectheterostructures based on semiconductors of the class А3В5uk_UA
dc.subjectspinodal decayuk_UA
dc.subjectmodel of the decay of the Cannes-Hillarduk_UA
dc.subjectautomodulation of a solid solutionuk_UA
dc.titleАвтомодуляційний режим кристалізації в технології низькотемпературного синтезу гетероструктур GахIn1-хР- GaAsuk_UA
dc.title.alternativeThe automodulating mode of crystallization in the technology of low-temperature synthesis of GахIn1-хР- GaAs heterostructuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dc.description.abstractenThe Cahn-Hillard equation, previously obtained for describing the process of decomposition of metallic substitution solid solutions, is adapted to describe the process of spinodal decomposition of semiconductor solid solutions of the form . The obtained differential equation for the decomposition of material is used to describe the effect of composition modulation, which is observed during the synthesis of GахIn1-хР-GaAs heterostructures. These heterocompositions are used as active media of modern optoelectronic devices. Numerical simulations of the process of spinodal decomposition of the material has been performed. It is found the intervals for thermodynamic parameters of the technological process of structure synthesis, in which the effect of composition modulation should appear most clearly. The results of quantitative analysis are compared with experimental data.uk_UA
Appears in Collections:Вісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
232.pdf697.58 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.