Please use this identifier to cite or link to this item:
http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/2455
Title: | ФОРМУВАННЯ ОМІЧНИХ КОНТАКТІВ ДО НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК A3N |
Other Titles: | Forming of ohmic contacts to the A3N semiconductor compounds |
Authors: | Шеремет, В.М. Сай, П.О. Sheremet, V.N. Saj, P.O. |
Keywords: | тринітриди GaN AlN InN омічний контакт механізм струмопереносу III-nitrides GaN AlN InN ohmic contact current flow mechanism |
Issue Date: | 2014 |
Publisher: | ЖДТУ |
Series/Report no.: | Вісник ЖДТУ: Серія: Технічні науки;1(68) |
Abstract: | Розглянуто процес формування омічних контактів до перспективних напівпровідникових сполук А3N: GaN, AlN, InN. Досліджено структурні й електрофізичні параметри контактних структур Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN та Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Виявлено і досліджено механізм струмопереносу по провідних дислокаціях з дифузійним обмеженням носіїв струму |
URI: | http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/2455 |
Appears in Collections: | Вісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.