Please use this identifier to cite or link to this item: http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/2455
Title: ФОРМУВАННЯ ОМІЧНИХ КОНТАКТІВ ДО НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК A3N
Other Titles: Forming of ohmic contacts to the A3N semiconductor compounds
Authors: Шеремет, В.М.
Сай, П.О.
Sheremet, V.N.
Saj, P.O.
Keywords: тринітриди
GaN
AlN
InN
омічний контакт
механізм струмопереносу
III-nitrides
GaN
AlN
InN
ohmic contact
current flow mechanism
Issue Date: 2014
Publisher: ЖДТУ
Series/Report no.: Вісник ЖДТУ: Серія: Технічні науки;1(68)
Abstract: Розглянуто процес формування омічних контактів до перспективних напівпровідникових сполук А3N: GaN, AlN, InN. Досліджено структурні й електрофізичні параметри контактних структур Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN та Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Виявлено і досліджено механізм струмопереносу по провідних дислокаціях з дифузійним обмеженням носіїв струму
URI: http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/2455
Appears in Collections:Вісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
17.pdf311.4 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.