Please use this identifier to cite or link to this item: http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/2455
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorШеремет, В.М.
dc.contributor.authorСай, П.О.
dc.contributor.authorSheremet, V.N.
dc.contributor.authorSaj, P.O.
dc.date.accessioned2016-03-31T11:05:35Z
dc.date.available2016-03-31T11:05:35Z
dc.date.issued2014
dc.identifier.urihttp://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/2455
dc.description.abstractРозглянуто процес формування омічних контактів до перспективних напівпровідникових сполук А3N: GaN, AlN, InN. Досліджено структурні й електрофізичні параметри контактних структур Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN та Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Виявлено і досліджено механізм струмопереносу по провідних дислокаціях з дифузійним обмеженням носіїв струмуuk_UA
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherЖДТУuk_UA
dc.relation.ispartofseriesВісник ЖДТУ: Серія: Технічні науки;1(68)
dc.subjectтринітридиuk_UA
dc.subjectGaNuk_UA
dc.subjectAlNuk_UA
dc.subjectInNuk_UA
dc.subjectомічний контактuk_UA
dc.subjectмеханізм струмопереносуuk_UA
dc.subjectIII-nitridesuk_UA
dc.subjectGaNuk_UA
dc.subjectAlNuk_UA
dc.subjectInNuk_UA
dc.subjectohmic contactuk_UA
dc.subjectcurrent flow mechanismuk_UA
dc.titleФОРМУВАННЯ ОМІЧНИХ КОНТАКТІВ ДО НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК A3Nuk_UA
dc.title.alternativeForming of ohmic contacts to the A3N semiconductor compoundsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dc.description.abstractenWe research forming process of ohmic contacts to the perspective semiconductor compounds А3N: GaN, AlN, InN. We research structure and electrical properties of contact structures Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN and Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Current flow mechanism through conductive dislocations with diffusion charge limitation was discovered and researched in these contact structures.uk_UA
Appears in Collections:Вісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
17.pdf311.4 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.