Анотація:
Рівняння Канна-Хілларда, що раніше отримане для опису процесу розпаду металевих твердих розчинів заміщення, адаптовано для опису процесу спінодального розпаду напівпровідникових твердих розчинів. Отримане диференціальне рівняння розпаду матеріалу застосовується для опису ефекту автомодуляціі складу, який спостерігається при синтезі гетероструктур GахIn1-хР – GaAs. Зазначені гетерокомпозіції використовуються в якості активних середовищ сучасних оптоелектронних приладів. Виконано чисельне моделювання процесу спінодального розпаду твердого розчину GахIn1-хР. Знайдено інтервали термодинамічних параметрів технологічного процесу синтезу структур, в яких ефект автомодуляціі складу повинен проявлятися найвиразніше. Результати кількісного аналізу зіставляються з експериментальними даними.
Анотація (англ.):
The Kann-Hillard equation, previously obtained for describing the decomposition of metal solid solution solutions, is adapted to describe the process of spinodal decomposition of semiconducting solid solutions. The obtained differential equation of decay of material is used to describe the effect of self-modulation of the composition, which is observed in the synthesis of GahtIn1-xP-GaAs heterostructures. These heterocompositions are used as active environments of modern optoelectronic devices. Numerical simulation of the process of spinodal decomposition of the solid solution GahIn1-xP was performed. The intervals of the thermodynamic parameters of the process of synthesis of structures are found, in which the effect of self-modulation of the composition should be manifested most clearly. The results of the quantitative analysis are compared with the experimental data.
