Автомодуляційний режим кристалізації в технології низькотемпературного синтезу гетероструктур GахIn1-хР- GaAs

Москвін, П.П.; Moskvin, P.P.; Скуратівський, С.І.; Skurativsʹkyi, S.I.

dc.contributor.author	Москвін, П.П.
dc.contributor.author	Moskvin, P.P.
dc.contributor.author	Скуратівський, С.І.
dc.contributor.author	Skurativsʹkyi, S.I.
dc.date.accessioned	2019-04-16T11:12:51Z
dc.date.available	2019-04-16T11:12:51Z
dc.date.issued	2018
dc.identifier.issn	1728-4260
dc.identifier.uri	http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7486
dc.description.abstract	Рівняння Канна-Хілларда, що раніше отримане для опису процесу розпаду металевих твердих розчинів заміщення, адаптовано для опису процесу спінодального розпаду напівпровідникових твердих розчинів. Отримане диференціальне рівняння розпаду матеріалу застосовується для опису ефекту автомодуляціі складу, який спостерігається при синтезі гетероструктур GахIn1-хР – GaAs. Зазначені гетерокомпозіції використовуються в якості активних середовищ сучасних оптоелектронних приладів. Виконано чисельне моделювання процесу спінодального розпаду твердого розчину GахIn1-хР. Знайдено інтервали термодинамічних параметрів технологічного процесу синтезу структур, в яких ефект автомодуляціі складу повинен проявлятися найвиразніше. Результати кількісного аналізу зіставляються з експериментальними даними.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	ЖДТУ	uk_UA
dc.relation.ispartofseries	Вісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки;№ 2 (82)
dc.subject	гетероструктури на основі напівпровідників класу А3В5	uk_UA
dc.subject	спінодальний розпад	uk_UA
dc.subject	модель розпаду Канна-Хілларда	uk_UA
dc.subject	автомодуляція складу твердого розчину	uk_UA
dc.subject	heterostructures based on semiconductors of the class A3B5	uk_UA
dc.subject	spinodal decay	uk_UA
dc.subject	model of the Cannes-Hillard collapse	uk_UA
dc.subject	self-modulation of a solid solution	uk_UA
dc.title	Автомодуляційний режим кристалізації в технології низькотемпературного синтезу гетероструктур GахIn1-хР- GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	The electrodialysis mode of crystallization in low temperature technology synthesis of GahtIn1-xR-GaAs heterostructures	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.description.abstracten	The Kann-Hillard equation, previously obtained for describing the decomposition of metal solid solution solutions, is adapted to describe the process of spinodal decomposition of semiconducting solid solutions. The obtained differential equation of decay of material is used to describe the effect of self-modulation of the composition, which is observed in the synthesis of GahtIn1-xP-GaAs heterostructures. These heterocompositions are used as active environments of modern optoelectronic devices. Numerical simulation of the process of spinodal decomposition of the solid solution GahIn1-xP was performed. The intervals of the thermodynamic parameters of the process of synthesis of structures are found, in which the effect of self-modulation of the composition should be manifested most clearly. The results of the quantitative analysis are compared with the experimental data.	uk_UA