Please use this identifier to cite or link to this item:
http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7486
Title: | Автомодуляційний режим кристалізації в технології низькотемпературного синтезу гетероструктур GахIn1-хР- GaAs |
Other Titles: | The electrodialysis mode of crystallization in low temperature technology synthesis of GahtIn1-xR-GaAs heterostructures |
Authors: | Москвін, П.П. Moskvin, P.P. Скуратівський, С.І. Skurativsʹkyi, S.I. |
Keywords: | гетероструктури на основі напівпровідників класу А3В5 спінодальний розпад модель розпаду Канна-Хілларда автомодуляція складу твердого розчину heterostructures based on semiconductors of the class A3B5 spinodal decay model of the Cannes-Hillard collapse self-modulation of a solid solution |
Issue Date: | 2018 |
Publisher: | ЖДТУ |
Series/Report no.: | Вісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки;№ 2 (82) |
Abstract: | Рівняння Канна-Хілларда, що раніше отримане для опису процесу розпаду металевих твердих розчинів заміщення, адаптовано для опису процесу спінодального розпаду напівпровідникових твердих розчинів. Отримане диференціальне рівняння розпаду матеріалу застосовується для опису ефекту автомодуляціі складу, який спостерігається при синтезі гетероструктур GахIn1-хР – GaAs. Зазначені гетерокомпозіції використовуються в якості активних середовищ сучасних оптоелектронних приладів. Виконано чисельне моделювання процесу спінодального розпаду твердого розчину GахIn1-хР. Знайдено інтервали термодинамічних параметрів технологічного процесу синтезу структур, в яких ефект автомодуляціі складу повинен проявлятися найвиразніше. Результати кількісного аналізу зіставляються з експериментальними даними. |
URI: | http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7486 |
ISSN: | 1728-4260 |
Appears in Collections: | Прикладні науково-дослідні роботи |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.