1. Електронний архів Державного університету «Житомирська політехніка»
  2. Науково-дослідні роботи
  3. Прикладні науково-дослідні роботи
Please use this identifier to cite or link to this item: http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7486
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМосквін, П.П.-
dc.contributor.authorMoskvin, P.P.-
dc.contributor.authorСкуратівський, С.І.-
dc.contributor.authorSkurativsʹkyi, S.I.-
dc.date.accessioned2019-04-16T11:12:51Z-
dc.date.available2019-04-16T11:12:51Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.issn1728-4260-
dc.identifier.urihttp://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7486-
dc.description.abstractРівняння Канна-Хілларда, що раніше отримане для опису процесу розпаду металевих твердих розчинів заміщення, адаптовано для опису процесу спінодального розпаду напівпровідникових твердих розчинів. Отримане диференціальне рівняння розпаду матеріалу застосовується для опису ефекту автомодуляціі складу, який спостерігається при синтезі гетероструктур GахIn1-хР – GaAs. Зазначені гетерокомпозіції використовуються в якості активних середовищ сучасних оптоелектронних приладів. Виконано чисельне моделювання процесу спінодального розпаду твердого розчину GахIn1-хР. Знайдено інтервали термодинамічних параметрів технологічного процесу синтезу структур, в яких ефект автомодуляціі складу повинен проявлятися найвиразніше. Результати кількісного аналізу зіставляються з експериментальними даними.uk_UA
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherЖДТУuk_UA
dc.relation.ispartofseriesВісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки;№ 2 (82)-
dc.subjectгетероструктури на основі напівпровідників класу А3В5uk_UA
dc.subjectспінодальний розпадuk_UA
dc.subjectмодель розпаду Канна-Хіллардаuk_UA
dc.subjectавтомодуляція складу твердого розчинуuk_UA
dc.subjectheterostructures based on semiconductors of the class A3B5uk_UA
dc.subjectspinodal decayuk_UA
dc.subjectmodel of the Cannes-Hillard collapseuk_UA
dc.subjectself-modulation of a solid solutionuk_UA
dc.titleАвтомодуляційний режим кристалізації в технології низькотемпературного синтезу гетероструктур GахIn1-хР- GaAsuk_UA
dc.title.alternativeThe electrodialysis mode of crystallization in low temperature technology synthesis of GahtIn1-xR-GaAs heterostructuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dc.description.abstractenThe Kann-Hillard equation, previously obtained for describing the decomposition of metal solid solution solutions, is adapted to describe the process of spinodal decomposition of semiconducting solid solutions. The obtained differential equation of decay of material is used to describe the effect of self-modulation of the composition, which is observed in the synthesis of GahtIn1-xP-GaAs heterostructures. These heterocompositions are used as active environments of modern optoelectronic devices. Numerical simulation of the process of spinodal decomposition of the solid solution GahIn1-xP was performed. The intervals of the thermodynamic parameters of the process of synthesis of structures are found, in which the effect of self-modulation of the composition should be manifested most clearly. The results of the quantitative analysis are compared with the experimental data.uk_UA
Appears in Collections:Прикладні науково-дослідні роботи

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
14.pdf697.58 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.