Please use this identifier to cite or link to this item:
http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7486
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Москвін, П.П. | - |
dc.contributor.author | Moskvin, P.P. | - |
dc.contributor.author | Скуратівський, С.І. | - |
dc.contributor.author | Skurativsʹkyi, S.I. | - |
dc.date.accessioned | 2019-04-16T11:12:51Z | - |
dc.date.available | 2019-04-16T11:12:51Z | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.issn | 1728-4260 | - |
dc.identifier.uri | http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7486 | - |
dc.description.abstract | Рівняння Канна-Хілларда, що раніше отримане для опису процесу розпаду металевих твердих розчинів заміщення, адаптовано для опису процесу спінодального розпаду напівпровідникових твердих розчинів. Отримане диференціальне рівняння розпаду матеріалу застосовується для опису ефекту автомодуляціі складу, який спостерігається при синтезі гетероструктур GахIn1-хР – GaAs. Зазначені гетерокомпозіції використовуються в якості активних середовищ сучасних оптоелектронних приладів. Виконано чисельне моделювання процесу спінодального розпаду твердого розчину GахIn1-хР. Знайдено інтервали термодинамічних параметрів технологічного процесу синтезу структур, в яких ефект автомодуляціі складу повинен проявлятися найвиразніше. Результати кількісного аналізу зіставляються з експериментальними даними. | uk_UA |
dc.language.iso | uk | uk_UA |
dc.publisher | ЖДТУ | uk_UA |
dc.relation.ispartofseries | Вісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки;№ 2 (82) | - |
dc.subject | гетероструктури на основі напівпровідників класу А3В5 | uk_UA |
dc.subject | спінодальний розпад | uk_UA |
dc.subject | модель розпаду Канна-Хілларда | uk_UA |
dc.subject | автомодуляція складу твердого розчину | uk_UA |
dc.subject | heterostructures based on semiconductors of the class A3B5 | uk_UA |
dc.subject | spinodal decay | uk_UA |
dc.subject | model of the Cannes-Hillard collapse | uk_UA |
dc.subject | self-modulation of a solid solution | uk_UA |
dc.title | Автомодуляційний режим кристалізації в технології низькотемпературного синтезу гетероструктур GахIn1-хР- GaAs | uk_UA |
dc.title.alternative | The electrodialysis mode of crystallization in low temperature technology synthesis of GahtIn1-xR-GaAs heterostructures | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
dc.description.abstracten | The Kann-Hillard equation, previously obtained for describing the decomposition of metal solid solution solutions, is adapted to describe the process of spinodal decomposition of semiconducting solid solutions. The obtained differential equation of decay of material is used to describe the effect of self-modulation of the composition, which is observed in the synthesis of GahtIn1-xP-GaAs heterostructures. These heterocompositions are used as active environments of modern optoelectronic devices. Numerical simulation of the process of spinodal decomposition of the solid solution GahIn1-xP was performed. The intervals of the thermodynamic parameters of the process of synthesis of structures are found, in which the effect of self-modulation of the composition should be manifested most clearly. The results of the quantitative analysis are compared with the experimental data. | uk_UA |
Appears in Collections: | Прикладні науково-дослідні роботи |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.