Please use this identifier to cite or link to this item: http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7382
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorРашковецький, Любомир Васильович-
dc.contributor.authorПляцко, Сергій Володимирович-
dc.contributor.authorМосквін, Павло Петрович-
dc.contributor.authorДобряков, Володимир Львович-
dc.contributor.authorСкиба, Галина Віталіївна-
dc.contributor.authorRashkovetskyi, L.V.-
dc.contributor.authorPlyatsko, S.V.-
dc.contributor.authorMoskvin, P.P.-
dc.contributor.authorDobryakov, V.L.-
dc.contributor.authorSkyba, G.V.-
dc.date.accessioned2018-06-27T08:15:58Z-
dc.date.available2018-06-27T08:15:58Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.urihttp://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7382-
dc.description.abstractМетодом рідиннофазної епітаксії отримано високоякісні плівки CdZnTe різного складу. Синтез відбувався при наднизьких температурах (500–530ºС) з телурового розчину. Проаналізовано кінетику росту епітаксійних плівок. Досліджено властивості вирощених плівок методами оптичної мікроскопії, рентгенівської дифрактометрії, Оже-спектроскопії, низькотемпературної фотолюмінесценції. Надано залежність мікротвердості від складу отриманих плівок.uk_UA
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherЖДТУuk_UA
dc.relation.ispartofseriesВісник ЖДТУ.Серія: Технічні науки;1(81)-
dc.subjectрідиннофазна епітаксіяuk_UA
dc.subjectнапівпровідникові плівки CdZnTeuk_UA
dc.subjectморфологія поверхніuk_UA
dc.subjectнапівширина кривої гойданняuk_UA
dc.subjectнизькотемпературна фотолюмінесценціяuk_UA
dc.subjectмікротвердістьuk_UA
dc.subjectliquid phase epitaxyuk_UA
dc.subjectCdZnTe filmsuk_UA
dc.subjectsurface morphologyuk_UA
dc.subjectlow temperature photoluminescenceuk_UA
dc.subjectmicrohardnessuk_UA
dc.titleВисокоякісні епітаксійні плівки CdZnTe для напівпровідникової оптоелектроніки: синтез і властивостіuk_UA
dc.title.alternativeHigh quality CdZnTe epitaxial films: growth and propertiesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dc.description.abstractenHigh-quality CdZnTe films of different compositions were obtained by liquid phase epitaxy. Growth occurred at low temperatures (500–530º C) from the tellurium solution. The growth kinetic of epitaxial films is analyzed. The properties of grown films by the methods of optical microscopy, X-ray diffractometry, Auger spectroscopy, and low-temperature photoluminescence are studied. The dependence of the microhardness on the composition of the resulting films is presented for the first time.uk_UA
Appears in Collections:Вісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
202.pdf608.31 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.