1. Електронний архів Державного університету «Житомирська політехніка»
  2. Фахові видання
  3. Вісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки
Please use this identifier to cite or link to this item: http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/2452
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСліпокуров, В.С.
dc.contributor.authorSlipokurov, V.S.
dc.date.accessioned2016-03-31T10:55:04Z
dc.date.available2016-03-31T10:55:04Z
dc.date.issued2014
dc.identifier.urihttp://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/2452
dc.description.abstractСистематизовано конструкції лавинно-пролітних діодів надвисокочастотного діапазону хвиль за типом модифікації пролітної області. Показані результати як отриманих вихідних параметрів напівпровідникових приладів на основі Si, SiC, GaAs, так і теоретично можливі, включно з діодами на основі InP. Отримані значення вказують на перевагу кремнієвої технології конструювання лавинно-пролітних діодів як таку, що станом на сьогодні є найбільш вивчена та запроваджена у виробництві. Такі результати порівнюються з іншими вихідними значеннями напівпровідникових приладів, зокрема з діодами на основі матеріалів групи А3В5. Дослідження проводиться шляхом вимірювання прямої та зворотної гілок вольт-амперної характеристики (ВАХ). Визначені механізми струмопротікання через p-n-перехід кремнієвого лавинно-пролітного діоду на прямій ВАХ.uk_UA
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherЖДТУuk_UA
dc.relation.ispartofseriesВісник ЖДТУ: Серія: Технічні науки;1(68)
dc.subjectлавинно-пролітний діодuk_UA
dc.subjectвольт-амперна характеристикаuk_UA
dc.subjectSiuk_UA
dc.subjectSiCuk_UA
dc.subjectGaAsuk_UA
dc.subjectInPuk_UA
dc.subjectтерагерцовий діапазонuk_UA
dc.subjectдифузіяuk_UA
dc.subjectгенераціяuk_UA
dc.subjectIMPATT diode current-voltage characteristicsuk_UA
dc.subjectSiuk_UA
dc.subjectSiCuk_UA
dc.subjectGaAsuk_UA
dc.subjectInPuk_UA
dc.subjectterahertz rangeuk_UA
dc.subjectdiffusionuk_UA
dc.subjectgenerationuk_UA
dc.titleРЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕНЬ ЕЛЕКТРОФІЗИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНІЄВИХ ЛАВИННО-ПРОЛІТНИХ ДІОДІВuk_UA
dc.title.alternativeResearch electrophysical characteristics of silicon impatt diodesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dc.description.abstractenSystematized design IMPATT diode microwave wavelength range by type modifications span region. Show results as obtained output parameters of semiconductor devices based on Si, SiC, GaAs and theoretically possible including diodes based on InP. These values indicate a preference to silicon technology design IMPATT diodes as such, which as of today is the most studied and implemented in production. These results are compared with other output value of semiconductor devices, including diodes on the basis of group A3B5. Study is done by measuring the direct and reverse branches of the current-voltage characteristics. The mechanism of current through pn-junction silicon IMPATT diode for direct current-voltage characteristics.uk_UA
Appears in Collections:Вісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
16.pdf651.88 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.