Please use this identifier to cite or link to this item:
http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/2132
Title: | КАТОДНІ КОНТАКТИ З ДИФУЗІЙНИМИ БАР’ЄРАМИ TiBx ДЛЯ ДІОДІВ ГАННА НА ОСНОВІ InP |
Other Titles: | Cathode contact with diffusion barriers TiBx for Gunn diodes based on InP |
Authors: | Новицький, С.В. Novitskii, S.V. |
Keywords: | омічний контакт діод Ганна |
Issue Date: | 2014 |
Publisher: | ЖДТУ |
Series/Report no.: | Вісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки;4(71) |
Abstract: | Досліджуються фізичні процеси, що відбуваються під дією зовнішніх впливів у багатошарових омічних контактах до n-InP з дифузійним бар'єром TiBx. Як зовнішні впливи використовувалися мікрохвильова обробка, швидка термічна обробка (ШТО) та γ-опромінення 60Со. Встановлено, що омічні контакти Au-TiBx-Ge-Au-n-n+-n++-InP, що сформовані магнетронним напиленням з наступною ШТО при температурі 450 °С, зберігають свою структуру і величину питомого контактного опору при робочих температурах діода Ганна. Вперше була отримана зростаюча температурна залежність питомого контактного опору омічного контакту Au-Ge-TiBx-Au до nn+- n++-InP в діапазоні температур 80–380 К, яка була пояснена струмопроходженням по металевих шунтах, що проросли крізь дислокації і замикають ОПЗ, з урахуванням обмеження протікаючого струму дифузійним підведенням електронів. |
URI: | http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/2132 |
Appears in Collections: | Вісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.