Автомодуляційний режим кристалізації в технології низькотемпературного синтезу гетероструктур GахIn1-хР- GaAs

Москвін, Павло Петрович; Скуратівський, Сергій Іванович; Moskvin, P.P.; Skurativskyi, S.I.

dc.contributor.author	Москвін, Павло Петрович
dc.contributor.author	Скуратівський, Сергій Іванович
dc.contributor.author	Moskvin, P.P.
dc.contributor.author	Skurativskyi, S.I.
dc.date.accessioned	2019-01-30T09:34:15Z
dc.date.available	2019-01-30T09:34:15Z
dc.date.issued	2018
dc.identifier.uri	http://eztuir.ztu.edu.ua/123456789/7435
dc.description.abstract	Рівняння Канна-Хілларда, що раніше отримане для опису процесу розпаду металевих твердих розчинів заміщення, адаптовано для опису процесу спінодального розпаду напівпровідникових твердих розчинів виду . Отримане диференціальне рівняння розпаду матеріалу застосовується для опису ефекту автомодуляціі складу, який спостерігається при синтезі гетероструктур GахIn1-хР – GaAs. Зазначені гетерокомпозіції використовуються в якості активних середовищ сучасних оптоелектронних приладів. Виконано чисельне моделювання процесу спінодального розпаду твердого розчину GахIn1-хР . Знайдено інтервали термодинамічних параметрів технологічного процесу синтезу структур, в яких ефект автомодуляціі складу повинен проявлятися найвиразніше. Результати кількісного аналізу зіставляються з експериментальними даними.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	ЖДТУ	uk_UA
dc.relation.ispartofseries	Вісник ЖДТУ.Серія: Технічні науки;2(82)
dc.subject	гетероструктури на основі напівпровідників класу А3В5	uk_UA
dc.subject	спінодальний розпад	uk_UA
dc.subject	модель розпаду Канна-Хілларда	uk_UA
dc.subject	автомодуляція складу твердого розчину	uk_UA
dc.subject	heterostructures based on semiconductors of the class А3В5	uk_UA
dc.subject	spinodal decay	uk_UA
dc.subject	model of the decay of the Cannes-Hillard	uk_UA
dc.subject	automodulation of a solid solution	uk_UA
dc.title	Автомодуляційний режим кристалізації в технології низькотемпературного синтезу гетероструктур GахIn1-хР- GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	The automodulating mode of crystallization in the technology of low-temperature synthesis of GахIn1-хР- GaAs heterostructures	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.description.abstracten	The Cahn-Hillard equation, previously obtained for describing the process of decomposition of metallic substitution solid solutions, is adapted to describe the process of spinodal decomposition of semiconductor solid solutions of the form . The obtained differential equation for the decomposition of material is used to describe the effect of composition modulation, which is observed during the synthesis of GахIn1-хР-GaAs heterostructures. These heterocompositions are used as active media of modern optoelectronic devices. Numerical simulations of the process of spinodal decomposition of the material has been performed. It is found the intervals for thermodynamic parameters of the technological process of structure synthesis, in which the effect of composition modulation should appear most clearly. The results of quantitative analysis are compared with experimental data.	uk_UA